概述LTC4358CFE是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358CFE降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358CFE 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358CFE 负责调节内部 MOSFET 两端..

概述LTC4358CDE是一款 5A 理想二极管，当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，该器件采用一个内部 20mΩ N 沟道 MOSFET 来替代一个肖特基二极管。LTC4358CDE降低了功耗、减少了热耗散，并压缩了 PC 板面积。 LTC4358CDE 可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4358CDE 负责调节内部 MOSFET 两端..

概述LTC4357MPMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357MPMS8能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。 LTC4357MPMS8能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。 在二极管“或”应用中，LTC4357MPMS8用于控制 MOSFET ..

概述LTC4357IMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357IMS8能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。 LTC4357IMS8能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。 在二极管“或”应用中，LTC4357IMS8 用于控制 MOSFET 两端的..

概述LTC4357IDCB是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357IDCB能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。 LTC4357IDCB能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。 在二极管“或”应用中，LTC4357IDCB 用于控制 MOSFET 两端的..

概述LTC4357HMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357HMS8能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357HMS8 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357HMS8用于控制 MOSFET 两端的正向..

概述LTC4357HDCB是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357HDCB能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。LTC4357HDCB 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357HDCB 用于控制 MOSFET 两端的正..

概述LTC4357CMS8是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357CMS8能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。 LTC4357CMS8 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357CMS8 用于控制 MOSFET 两端的..

概述LTC4357CDCB是一款正高电压理想二极管控制器，用于驱动一个外部 N 沟道 MOSFET 以取代一个肖特基二极管。当在二极管“或”和高电流二极管应用中使用时，LTC4357CDCB能够降低功耗、热耗散、电压损失并缩减 PC 板面积。 LTC4357CDCB 能够很容易地对电源进行“或”操作，以提高总体系统可靠性。在二极管“或”应用中，LTC4357 用于控制 MOSFET 两端的正向电压..

概述LTC4355IS 是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助 LTC4355IS可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355IS能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V ..

概述LTC4355IMS是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助LTC4355IMS可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355IMS能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V..

概述LTC4355IDE是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助LTC4355IDE可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355IDE能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V..

概述LTC4355HMS是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助LTC4355HMS可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355HMS能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V..

概述LTC4355CS是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助LTC4355CS可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355CS能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V 系统..

概述LTC4355CMS是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助LTC4355CMS可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355CMS能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V..

概述LTC4355CDE是一款正电压理想二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。利用 N 沟道 MOSFET (而不是肖特基二极管) 来形成二极管“或”可降低功耗、减少热耗散和 PC 板面积。 借助LTC4355CDE可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统可靠性。LTC4355CDE能够对两个正电源或两个负电源的返回通路进行二极管“或”处理 (例如：在一个 -48V..

概述LTC4354IS8是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 首次上电时，MOSFET 体二极管负责传导负载电流，直到传输晶体管接通为止。LTC4354IS..

概述LTC4354IDDB是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 首次上电时，MOSFET 体二极管负责传导负载电流，直到传输晶体管接通为止。LTC4354I..

概述LTC4354CDDB是一款负电压二极管“或”控制器，用于驱动两个外部 N 沟道MOSFET。该器件可替代两个肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。通过采用 N 沟道 MOSFET 作为传输晶体管，极大地降低了功率耗散。可以很容易地把电源“或”连接在一起，以提高整体系统功率和可靠性。 首次上电时，MOSFET 体二极管负责传导负载电流，直到传输晶体管接通为止。LTC4354C..

概述LTC4353IMS可控制外部 N 沟道 MOSFET 以实现理想二极管功能。该器件可替代两个高功率肖特基二极管及相关联的散热器，从而节省了功率和占板面积。理想二极管功能可实现低损耗电源“或”及电源保持应用。 LTC4353IMS可调节 MOSFET 两端的正向电压降，以确保二极管“或”应用中的平滑电流转换。快速接通减小了电源切换期间的负载电压降。如果输入电源发生故障或短路，则快速关断可最大限..