概述 ADG333A是一款单芯片互补金属氧化物半导体(CMOS)器件，内置四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。它采用线性兼容CMOS (LC2MOS)工艺设计，具有低功耗、高开关速度和低导通电阻特性。 导通电阻曲线在整个模拟输入范围都非常平坦，可确保开关音频信号时拥有良好的线性度和低失真性能。同时高开关速度使该器件适合视频信号切换应用。CMOS结构可确保功耗极低，因而该器件非常适合便携式电池供..

概述 ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路复用器/解复用器，采用低压CMOS工艺制造，具有低功耗、高开关速度和极低导通电阻特性。低导通电阻特性使输入可以与输出相连，而且不会引起额外的传播延迟或产生额外的接地反弹噪声。 接通时，ADG3248的各开关在两个方向的导电性能相同。该器件为先开后合式，可防止切换通道时发生瞬时短路。 ADG3248采用6引脚小型SC70封装。 产品聚..

概述 ADG221和ADG222均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。片内锁存器有利于与微处理器实现接口。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V，同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG221和ADG222均内置四个单刀单掷（SPST）开关。两者唯一的不同是数字控制逻辑相反。所有器件均为先开后合式。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG221和ADG222均为单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。片内锁存器有利于与微处理器实现接口。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V，同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG221和ADG222均内置四个单刀单掷（SPST）开关。两者唯一的不同是数字控制逻辑相反。所有器件均为先开后合式。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时..

概述 ADG212A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性 ADG212A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，..

概述 ADG212A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性 ADG212A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，..

概述 ADG212A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性 ADG212A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，..

概述 ADG212A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性 ADG212A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字输入时，..

概述 ADG211A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG211A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG211A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG211A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG211A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG211A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG202A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG202A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小..

概述 ADG202A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG202A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小..

概述 ADG202A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG202A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑高电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开关数字输入时，可实现最小..

概述 ADG201HS是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG201HS开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字..

概述 ADG201HS是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG201HS开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字..

概述 ADG201HS是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG201HS开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字..

概述 ADG201HS是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG201HS开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字..

概述 ADG201HS是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻特性。 ADG201HS开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当切换数字..

概述 ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG201A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..