概述 ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG201A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG201A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG201A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG201A是一款单芯片CMOS器件，内置四个独立可选的开关。这些开关采用增强型LC2MOS 工艺设计，信号处理能力提高到±15 V。同时还具有高开关速度和低导通电阻(RON)特性。 ADG201A开关的接通条件是相关的控制输入为逻辑低电平。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。所有开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。设计本身具有低电荷注入特性，当开..

概述 ADG1636是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。 这些开关具有超低导通电阻特性，对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益切..

概述 ADG1636是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。 这些开关具有超低导通电阻特性，对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益切..

概述 ADG1636是一款单芯片CMOS器件，内置两个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。该器件提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下，达到电源电压的信号电平被阻止。两个开关均为先开后合式，适合多路复用器应用。 这些开关具有超低导通电阻特性，对于低导通电阻、低失真性能至关重要的数据采集和增益切..

概述 ADG1633和ADG1634均为单芯片工业CMOS（iCMOS?）模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1633（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1634（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度，对于低失真性能至关重..

概述 ADG1633和ADG1634均为单芯片工业CMOS（iCMOS?）模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1633（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1634（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度，对于低失真性能至关重..

概述 ADG1633和ADG1634均为单芯片工业CMOS（iCMOS?）模拟开关，分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷（SPDT）开关。 所有通道均采用先开后合式开关，防止开关通道时发生瞬时短路。ADG1633（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1634（仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度，对于低失真性能至关重..

概述 ADG1633/ADG1634均为单芯片工业CMOS(iCMOS?) 模拟开关 ， 分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 所有通道均采用先开后合式开关 ， 防止开关通道时发生瞬时短路 。 ADG1633（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1634 （仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度，对于..

概述 ADG1633/ADG1634均为单芯片工业CMOS(iCMOS?) 模拟开关 ， 分别内置三个/四个独立可选的单刀双掷(SPDT)开关。 所有通道均采用先开后合式开关 ， 防止开关通道时发生瞬时短路 。 ADG1633（LFCSP和TSSOP封装）和ADG1634 （仅LFCSP封装）提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 这些开关具有超低导通电阻和导通电阻平坦度，对于..

概述 ADG1611/ADG1612/ADG1613内置四个独立的单极/单掷(SPST)开关。二者的唯一不同之处就是数字控制逻辑相反。ADG1611开关的接通条件是相关控制输入为逻辑0，而ADG1612开关则要求逻辑1。ADG1613有两个开关的数字控制逻辑与ADG1611相似，但其它两个开关的控制逻辑则相反。当接通时，各开关在两个方向的导电性能相同，输入信号范围可扩展至电源电压范围。在断开条件下..

概述 ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1608/ADG1609均为单芯片CMOS模拟多路复用器，分别内置8个单通道和4个差分通道。ADG1608根据3位二进制地址线A0、A1和A2所确定的地址，将8路输入之一切换至公共输出。ADG1609根据2位二进制地址线A0和A1所确定的地址，将4路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。 当接通时，各开关在两个方向的导电性能..

概述 ADG1606和ADG1607均为单芯片iCMOS?模拟多路复用器，分别内置16个单通道和8个差分通道。ADG1606根据4位二进制地址线（A0、A1、A2和A3）所确定的地址，将16路输入之一切换至公共输出。ADG1607根据3位二进制地址线（A0、A1和A2）所确定的地址，将8路差分输入之一切换至公共差分输出。两款器件均提供EN输入，用来使能或禁用器件。禁用时，所有通道均关断。使能时，各..