概述 ADG918/ADG919是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。 ADG918是一款具有50 ?端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG919则是一款反射式开关。 这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 它们集成了片内CMOS控制逻辑，从而无需外部控制电路。 控制输入均兼容CMOS和LVTTL。 这些CMOS器件具有低功耗特性..

概述 ADG918/ADG919是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。 ADG918是一款具有50 ?端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG919则是一款反射式开关。 这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 它们集成了片内CMOS控制逻辑，从而无需外部控制电路。 控制输入均兼容CMOS和LVTTL。 这些CMOS器件具有低功耗特性..

概述 ADG918/ADG919是采用CMOS工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。 ADG918是一款具有50 ?端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG919则是一款反射式开关。 这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。 它们集成了片内CMOS控制逻辑，从而无需外部控制电路。 控制输入均兼容CMOS和LVTTL。 这些CMOS器件具有低功耗特性..

概述 ADG901/ADG902是采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。ADG901是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG902则是一款反射式开关。这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。这些开关允许用户传递高达0.5 V的直流信号，无需使用隔直电容。它们集成了板载CMOS控制逻辑，从而无需外..

概述 ADG901/ADG902是采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。ADG901是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG902则是一款反射式开关。这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。这些开关允许用户传递高达0.5 V的直流信号，无需使用隔直电容。它们集成了板载CMOS控制逻辑，从而无需外..

概述 ADG901/ADG902是采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。ADG901是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG902则是一款反射式开关。这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。这些开关允许用户传递高达0.5 V的直流信号，无需使用隔直电容。它们集成了板载CMOS控制逻辑，从而无需外..

概述 ADG901/ADG902是采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺制成、具有高隔离和低插入损耗特点并且频率达1 GHz的宽带开关。ADG901是一款具有50 Ω端接分流引脚的吸收式（匹配）开关，而ADG902则是一款反射式开关。这些器件设计为在DC至1 GHz频率范围内具有高隔离特性。这些开关允许用户传递高达0.5 V的直流信号，无需使用隔直电容。它们集成了板载CMOS控制逻辑，从而无需外..

概述 HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为10 kHz至3 GHz，采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗（频率高达3 GHz时），非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。 关断状态下，RF1和RF2反射短路，而两个控制电压（A和B引脚）所需直流偏置电流极低。请注意，HMC197B在备选引脚排列方面具有相似的性能。 特点 低..

概述 HMC986A是一款宽带GaAs pHEMT MMIC单刀双掷(SPDT)开关裸片。这款紧凑型开关采用反射式拓扑结构，通过两个互补输入（0/-3V至0/-5V）控制。输入信号为40 GHz时，该器件具有19 dB回损、34 dB隔离，以及仅2.1 dB的插入损耗。这款开关兼具宽带性能和快速开关速度，适合测试设备、开关矩阵和电子战(EW)应用。该器件的RF性能独立于高电平控制电压，具有全面的-..

概述 HMC-C584是一款0.1 GHz至40 GHz、5位、砷化镓(GaAs) IC数字衰减器，封装在微型密封模块中。 这款宽带衰减器具有7 dB的典型插入损耗和43 dBm的输入IP3，位值为1 dB (LSB)、2 dB、4 dB、8 dB和16 dB，总衰减范围为31 dB。 该器件的衰减精度很高，典型步长误差为±1.0 dB。 五个控制电压输入在0 V和5 V之间切换，用于选择每个衰减..

概述 HMC-C583是一款0.1 GHz至40 GHz、砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率(pHEMT)、IC单刀单掷(SPST)开关，封装在小型密封模块中。 该宽带开关具有7 dB的典型插入损耗、50 dB的典型隔离和40 dBm的输入IP3。 开关导通/断开时间为10 ns（典型值）。 单控制电压输入在0 V和5 V之间切换，用于选择开关状态。 可移除的K型连接器可以拆卸，以便将模块的输入..

概述 HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装，带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段，该开关具有很高的功率处理能力，另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能..

概述 HMC8038是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，可实现高达4.0 GHz的62 dB隔离、高达4.0 GHz的0.8 dB低插入损耗和60 dBm输入三阶交调截点。 拥有高达6.0 GHz的出色功率处理能力，并提供针对35 dBm的0.1 dB压缩点(P0.1dB)的输入功率(VDD ..

概述 HMC7992是一款通用型、非反射式、0.1 GHz至6.0 GHz、单刀四掷(SP4T)硅开关，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，提供45 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)和0.6 dB的低插入损耗(2 GHz)。 它提供高达6.0 GHz的出色功率处理能力，在5 V工作电压时提供35 dBm的1 dB压缩点(P1dB)输入功率。 HMC7992具有0.1 GH..

概述 HMC544A和HMC544AE均为低成本SPDT开关，采用6引脚SOT26封装，适合在中等功率水平下要求极低插入损耗的收发应用。 这些器件可控制DC至4.0 GHz范围的信号，尤其适合插入损耗低于0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz应用。 GaAs PHEMT设计在+3 V偏置时提供出色的+36 dBm 1dB压缩点线性度性能和+60 dBm三阶交调截点。 “..

概述 HMC8038是一款高隔离度、非反射式、0.1 GHz至6.0 GH、单刀双掷(SPDT)开关芯片，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，可实现高达4.0 GHz的62 dB隔离、高达4.0 GHz的0.8 dB低插入损耗和60 dBm输入三阶交调截点。 拥有高达6.0 GHz的出色功率处理能力，并提供针对35 dBm的0.1 dB压缩点(P0.1dB)的输入功率(VDD ..

概述 HMC7992是一款通用型、非反射式、0.1 GHz至6.0 GHz、单刀四掷(SP4T)硅开关，采用无引脚、表贴封装。 该开关非常适合蜂窝基础设施应用，提供45 dB（典型值）的高隔离度(2 GHz)和0.6 dB的低插入损耗(2 GHz)。 它提供高达6.0 GHz的出色功率处理能力，在5 V工作电压时提供35 dBm的1 dB压缩点(P1dB)输入功率。 HMC7992具有0.1 GH..

概述 Broadband performance: DC - 8 GHz Very high isolation: 45 dB @ 6 GHz Non-reflective design Low cost MSOP-8 package: 14.8 mm2 The HMC270AMS8GE are broad-band non-reflective GaAs SPDT switches in 8 l..

概述 HMC252AQS24E是一款低成本非反射SP6T开关，采用24引脚QSOP封装，宽带工作频率范围为DC至3.0 GHz。 该开关提供单正偏置和真TTL/CMOS兼容性。 该开关上集成了3:6解码器，仅需三个控制线和一个正偏置即可选择每个路径. HMC252AQS24E SP6T可取代SP4T和SPDT MMIC开关和逻辑驱动器的多种配置。 特点 低插入损耗(2 GHz)：1.0 dB 单正..

概述 HMC1118是一款通用、宽带、非反射式单刀双掷(SPDT)开关，采用LFCSP表贴封装。该开关频率范围为9 kHz至13.0 GHz，具有高隔离度和低插入损耗。该开关具有48 dB以上的隔离性能，8.0 GHz及以下频率时的插入损耗为0.68 dB，最终RFOUT的0.05 dB裕量的建立时间为7.5 μs。该开关采用+3.3 V和0 V的正控制电压逻辑线路工作，需要+3.3 V和?2.5..