概述 HMC545A和HMC545AE均为低成本SPDT开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适用于要求极低插入损耗和极小尺寸的通用开关应用。 这些器件具有0.25 dB的典型损耗，可控制频率范围为DC至3.0 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括蜂窝/3G、ISM、汽车和笔记本电脑。 该设计提供出色的插入损耗性能，非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 两..

概述 HMC245AQS16和HMC245AQS16E均为低成本反射式SP3T开关，采用16引脚QSOP表贴封装。 该开关频率范围为DC至3.5 GHz，提供30至40 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。 该开关上集成了2:3 TTL/CMOS兼容解码器，仅需两条控制线和单个+5V偏置即可选择每个路径，从而可取代GaAs SP3T开关通常所需的6条控制线。 特点 低插入损耗： 0.7 dB (2..

概述 HMC345ALP3E是一款宽带非反射GaAs MESFET SP4T开关，采用低成本无引脚表贴封装。该开关频率范围为DC至8 GHz，具有高隔离和低插入损耗。该开关还集成了板载二进制解码电路，将所需逻辑控制线减至两条。该开关采用0/+5V正控制电压工作，所需固定偏置为+5V。 *端口RFC和RF1、2、3和4需配有隔直电容。它们的值决定最低传输频率。 特点 宽带性能： DC - 8 GHz..

概述 HMC199AMS8和HMC199AMS8E均为低成本通用型双通道SPDT GaAs“旁路”开关，采用8引脚MSOP封装，频率范围为DC至2.5 GHz。 这四个RF端口部件将两个SPDT开关和一条直通线集成到单个IC上。 这些设计提供小于0.5 dB的低插入损耗，同时在信号路径内外切换无源或有源外部电路元件。 端口间隔离通常为25至30 dB。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作，..

概述 HMC595A和HMC595AE均为低成本SPDT开关，采用6引脚SOT26封装，适用于在高入射功率电平下具有极低失真特性的发射/接收应用。 该器件可控制DC至3 GHz信号，尤其适合蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用，典型插入损耗仅为0.3 dB。 该设计在+8 V偏置下提供3 W的功率处理能力和+63 dBm的三阶交调截点。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 控制输入..

概述 HMC550A和HMC550AE均为低成本SPST故障安全开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适合要求低插入损耗和极低功耗的开关应用。 这些器件具有0.7 dB的典型损耗，可控制频率范围为DC至6 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下，该开关所需直流电流极低，并与CMOS和一些T..

概述 HMC545A和HMC545AE均为低成本SPDT开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适用于要求极低插入损耗和极小尺寸的通用开关应用。 这些器件具有0.25 dB的典型损耗，可控制频率范围为DC至3.0 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括蜂窝/3G、ISM、汽车和笔记本电脑。 该设计提供出色的插入损耗性能，非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 两..

概述 HMC544A和HMC544AE均为低成本SPDT开关，采用6引脚SOT26封装，适合在中等功率水平下要求极低插入损耗的收发应用。 这些器件可控制DC至4.0 GHz范围的信号，尤其适合插入损耗低于0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz应用。 GaAs PHEMT设计在+3 V偏置时提供出色的+36 dBm 1dB压缩点线性度性能和+60 dBm三阶交调截点。 “..

概述 HMC244AG16是一款非反射式SP4T开关，采用16引脚玻璃/金属（密封）封装。 该开关频率范围为DC至4 GHz，3 GHz范围内提供30至50 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。 该开关上集成了2:4 TTL/CMOS兼容解码器，仅需两个控制线和一个5V正偏置即可选择每个路径，从而可取代GaAs SP4T开关通常所需的8个控制线。 特点 低插入损耗：0.9 dB 非反射设计 集成式..

概述 HMC849ALP4CE是一款高隔离非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT开关，采用低成本无引脚表贴封装。 该开关非常适合蜂窝/WiMAX/4G基础设施应用，实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+52 dBm的输入IP3。 在最高5 - 6 GHz WiMAX频段内，该器件具有很高的功率处理能力，另外提供+31 dBm的P1dB压缩点性能。 片内电路可在极低直..

概述 HMC646LP2(E)是一款SPDT开关，采用无引脚DFN表贴塑料封装，可用于发射/接收和LNA保护等要求极低失真和高达40 W、占空比低于10%的高功率应用。 这款鲁棒的开关可控制100 - 2100 MHz*的信号，非常适合TD-SCDMA/3G中继器、PMR、汽车远程信息处理和卫星用户终端应用。 该设计可在发射(Tx)端口提供出色的+46 dBm P0.1 dB和+74 dBm II..

概述 HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE为低成本SPDT开关，采用8引脚基极接地MSOP封装。 该设计经过优化提供中低功耗应用所需的高隔离度、最小插入损耗。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作，且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 “关断”状态下，RF1和RF2为非反射式。 特点 高隔离度： >45 dB 正控制电压： 0/+5V 非反射设计 小型封装： MS..

概述 HMC550A和HMC550AE均为低成本SPST故障安全开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适合要求低插入损耗和极低功耗的开关应用。 这些器件具有0.7 dB的典型损耗，可控制频率范围为DC至6 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下，该开关所需直流电流极低，并与CMOS和一些T..

概述 HMC245AQS16和HMC245AQS16E均为低成本反射式SP3T开关，采用16引脚QSOP表贴封装。 该开关频率范围为DC至3.5 GHz，提供30至40 dB隔离和0.7 dB的低插入损耗。 该开关上集成了2:3 TTL/CMOS兼容解码器，仅需两条控制线和单个+5V偏置即可选择每个路径，从而可取代GaAs SP3T开关通常所需的6条控制线。 特点 低插入损耗： 0.7 dB (2..

概述 HMC199AMS8和HMC199AMS8E均为低成本通用型双通道SPDT GaAs“旁路”开关，采用8引脚MSOP封装，频率范围为DC至2.5 GHz。 这四个RF端口部件将两个SPDT开关和一条直通线集成到单个IC上。 这些设计提供小于0.5 dB的低插入损耗，同时在信号路径内外切换无源或有源外部电路元件。 端口间隔离通常为25至30 dB。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作，..

概述 HMC197B(E)是一款低成本SPDT开关，采用6引脚SOT26塑料封装，适用于具有极低插入损耗和极小尺寸的通用开关应用。 该器件可控制DC至3 GHz范围的信号，尤其适合损耗低于1 dB的900 MHz、1.8 - 2.2 GHz和2.4 GHz ISM应用。 该设计提供出色的插入损耗性能，非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 两个控制电压所需的直流..

概述 HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT开关，采用8引脚MSOP封装。 该开关可控制DC至3 GHz范围的信号。 它尤其适合采用正控制电压的中低功耗应用。 这两个控制电压所需的直流电流非常小，极其适合0.9、1.9和2.4 GHz频率范围的电池供电无线电系统。 HMC190BMS8(E)提供出色的、+56 dBm第三阶交调性能。 该设计针对小型MSOP封装进行了优化，保持优于1.2:1..

概述 HMC232ALP4E是一款宽带高隔离非反射式GaAs MESFET SPDT开关，采用低成本无引脚QFN表贴塑料封装。 该开关的工作频率范围为直流至12 GHz，在最高3 GHz频率下提供>57dB的隔离，在最高12 GHz频率下提供>45 dB的隔离。 输入P1dB压缩为+30 dBm（典型值），同时输入IP3为+48 dBm。 该开关采用-5/0V的互补负控制电压逻辑线路工..

概述 HMC596LP4(E)是一款低成本4x2开关矩阵产品，采用无引脚QFN 4x4 mm表贴封装，可用于卫星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路开关。 开关上集成由正电压控制的4位解码器。 该开关可用于75 Ω或50 Ω系统。 两个开关输出（OP1和OP2）都能独立选择四个输入（HH、HL、VH、VL）中的任意一个，或者同时选择相同的输入。 注意，开关是双向的，并且输入/输..

概述 HMC1084是一款宽带反射GaAs MESFET SP4T开关，采用紧凑型4x4 mm陶瓷封装。 该开关频率范围为23 - 30 GHz，具有高隔离度和低插入损耗。 HMC1084由0/-3V逻辑控制，具有快速开关速度，且直流功耗比基于pin二极管的解决方案小。 HMC1084采用紧凑型外形尺寸，非常适合微波无线电、SATCOM以及传感器应用。 HMC1084采用无铅4x4 mm SMT封..