元器件百科

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    HMC-SDD112-SX
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC-SDD112是一款基于GaAs PIN二极管的单芯片单刀双掷(SPDT)MMIC 开关,具有低插入损耗和高隔离特性。 这款全分流式MMIC SPDT集成片上直流模块和直流偏置电压耦合电路。 所有焊盘和芯片背面都经过Ti/Au金属化,PIN二极管器件已完全钝化以实现可靠操作。 HMC-SDD112 GaAs PIN SPDT可兼容常规的芯片贴装方法,以及热压缩和热超声线焊,非常适合MC..

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    HMC849ALP4CETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC849ALP4CE是一款高隔离非反射DC至6 GHz GaAs pHEMT SPDT开关,采用低成本无引脚表贴封装。 该开关非常适合蜂窝/WiMAX/4G基础设施应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+52 dBm的输入IP3。 在最高5 - 6 GHz WiMAX频段内,该器件具有很高的功率处理能力,另外提供+31 dBm的P1dB压缩点性能。 片内电路可在极低直..

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    HMC595AETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC595A和HMC595AE均为低成本SPDT开关,采用6引脚SOT26封装,适用于在高入射功率电平下具有极低失真特性的发射/接收应用。 该器件可控制DC至3 GHz信号,尤其适合蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用,典型插入损耗仅为0.3 dB。 该设计在+8 V偏置下提供3 W的功率处理能力和+63 dBm的三阶交调截点。 “关断”状态下,RF1和RF2反射短路。 控制输入..

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    HMC574AMS8ETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC574AMS8E是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装,适合于高射入功率电平下需要极低失真性能的发射/接收应用。该器件可控制DC至3 GHz信号,尤其适合蜂窝/3G基础设施、WiMAX和WiBro应用,典型插入损耗仅为0.3 dB。该设计在+8 V偏置时提供5 W处理性能和+63 dBm三阶交调截点。“关断”状态下,RF1和RF2反射短路。 特点 低插入损耗: 0.3 dB ..

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    HMC550AETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC550A和HMC550AE均为低成本SPST故障安全开关,采用6引脚SOT26塑料封装,适合要求低插入损耗和极低功耗的开关应用。 这些器件具有0.7 dB的典型损耗,可控制频率范围为DC至6 GHz的信号,尤其适合IF和RF应用,包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下,RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下,该开关所需直流电流极低,并与CMOS和一些T..

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    HMC544AETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC544A和HMC544AE均为低成本SPDT开关,采用6引脚SOT26封装,适合在中等功率水平下要求极低插入损耗的收发应用。 这些器件可控制DC至4.0 GHz范围的信号,尤其适合插入损耗低于0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz应用。 GaAs PHEMT设计在+3 V偏置时提供出色的+36 dBm 1dB压缩点线性度性能和+60 dBm三阶交调截点。 “..

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    HMC435AMS8GETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC435AMS8G(E)是一款非反射式DC-4 GHz GaAs MESFET SPDT开关,采用低成本8引脚MSOP8G表面贴装封装,带有裸露接地焊盘。 该开关非常适合蜂窝/3G和WiMAX/4G应用,实现高达60 dB的隔离、0.8 dB的低插入损耗和+50 dBm的输入IP3。 在3.8 GHz WiMAX频段,该开关具有很高的功率处理能力,另外提供+30 dBm的P1dB压缩性能..

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    HMC221BETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC221B是一款单刀双掷(SPDT)开关,额定频率范围为10 kHz至3 GHz,采用6引脚SOT-23塑料封装。该开关提供低于0.8 dB的极低插入损耗(频率高达3 GHz时),非常适合要求低插入损耗和小尺寸的接收器和滤波器开关应用。 关断状态下,RF1和RF2反射短路,而两个控制电压(A和B引脚)所需直流偏置电流极低。请注意,HMC197B在备选引脚排列方面具有相似的性能。 特点 低..

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    HMC197BETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC197B(E)是一款低成本SPDT开关,采用6引脚SOT26塑料封装,适用于具有极低插入损耗和极小尺寸的通用开关应用。 该器件可控制DC至3 GHz范围的信号,尤其适合损耗低于1 dB的900 MHz、1.8 - 2.2 GHz和2.4 GHz ISM应用。 该设计提供出色的插入损耗性能,非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下,RF1和RF2反射短路。 两个控制电压所需的直流..

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    HMC194AMS8ETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC194AMS8E是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装,适合两个RF路径之间需要高隔离性能的应用。 这些器件可控制DC至3 GHz范围的信号,经过优化提供中低功耗应用所需的极高隔离度、最小插入损耗。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作,且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 “关断”状态下,RF1和RF2反射断开。 特点 小型封装: MSOP8 高隔离度: 5..

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    HMC190BMS8ETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC190BMS8(E)是一款低成本SPDT开关,采用8引脚MSOP封装。 该开关可控制DC至3 GHz范围的信号。 它尤其适合采用正控制电压的中低功耗应用。 这两个控制电压所需的直流电流非常小,极其适合0.9、1.9和2.4 GHz频率范围的电池供电无线电系统。 HMC190BMS8(E)提供出色的、+56 dBm第三阶交调性能。 该设计针对小型MSOP封装进行了优化,保持优于1.2:1..

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    HMC1055LP2CETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC1055是一款低成本、砷化镓(GaAs)、单刀单掷(SPST)开关,采用LFCSP表贴封装。 该开关具有低插入损耗、高隔离度和出色的三阶交调性能,非常适合0.5 GHz至4.0 GHz范围内的许多蜂窝和无线基础设施应用。 HMC1055在极低直流下采用单正电源电压和单正控制电压。 RF1反射断开,而RF2在关断状态下端接至50 Ω。 特点 低插入损耗: 0.7 dB(典型值,2.0 G..

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    HMC-C058
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC-C058是一款通用的宽带高隔离度非反射式GaAs MESFET SPDT开关,封装在微型密封模块中,带有可现场更换的SMA连接器。 该开关频率范围为DC至18 GHz,具有高隔离和低插入损耗。 该开关在最高6 GHz频率下提供大于65 dB的隔离,在最高18 GHz频率下提供大于50 dB的隔离。 CMOS接口允许在很低直流电流条件下提供单个+5V偏置电压。 特点 高隔离度: >..

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    HMC-C011
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC-C011是一款通用的宽带高隔离度非反射式GaAs MESFET SPDT开关,封装在微型密封模块中,带有可现场更换的SMA连接器。 该开关频率范围为DC至20 GHz,具有高隔离和低插入损耗。 该开关在最高5 GHz频率下提供大于45 dB的隔离,在最高20 GHz频率下提供大于35 dB的隔离。 CMOS接口允许在很低直流电流条件下提供单个+5V正向偏置电压。 特点 高隔离度: 大..

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    HMC646LP2ETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC646LP2(E)是一款SPDT开关,采用无引脚DFN表贴塑料封装,可用于发射/接收和LNA保护等要求极低失真和高达40 W、占空比低于10%的高功率应用。 这款鲁棒的开关可控制100 - 2100 MHz*的信号,非常适合TD-SCDMA/3G中继器、PMR、汽车远程信息处理和卫星用户终端应用。 该设计可在发射(Tx)端口提供出色的+46 dBm P0.1 dB和+74 dBm II..

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    HMC596LP4E
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC596LP4(E)是一款低成本4x2开关矩阵产品,采用无引脚QFN 4x4 mm表贴封装,可用于卫星/DBS、LNB和200 MHz至3000 MHz的多路开关。 开关上集成由正电压控制的4位解码器。 该开关可用于75 Ω或50 Ω系统。 两个开关输出(OP1和OP2)都能独立选择四个输入(HH、HL、VH、VL)中的任意一个,或者同时选择相同的输入。 注意,开关是双向的,并且输入/输..

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    HMC284AMS8GETR
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 HMC284AMS8G和HMC284AMS8GE为低成本SPDT开关,采用8引脚基极接地MSOP封装。 该设计经过优化提供中低功耗应用所需的高隔离度、最小插入损耗。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作,且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 “关断”状态下,RF1和RF2为非反射式。 特点 高隔离度: >45 dB 正控制电压: 0/+5V 非反射设计 小型封装: MS..

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    ADF7012BRUZ-RL
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 ADF7012是一款低功耗ASK/FSK/GFSK UHF发射机,设计用于短程无线设备(SRD)。输出功率、输出通道、偏移频率和调制类型均可通过4个32位寄存器编程设置。 利用小数N分频和带有外部电感的VCO,用户可以选择50 MHz至1 GHz频段内的任何频率。小数N分频PLL具有快速锁定时间特性,因此ADF7012适合快速跳频系统。精密频率偏移和PLL相位噪声性能也有助于窄带操作。 有五..

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    ADF7012BRUZ-RL7
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 ADF7012是一款低功耗ASK/FSK/GFSK UHF发射机,设计用于短程无线设备(SRD)。输出功率、输出通道、偏移频率和调制类型均可通过4个32位寄存器编程设置。 利用小数N分频和带有外部电感的VCO,用户可以选择50 MHz至1 GHz频段内的任何频率。小数N分频PLL具有快速锁定时间特性,因此ADF7012适合快速跳频系统。精密频率偏移和PLL相位噪声性能也有助于窄带操作。 有五..

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    ADF7012BRUZ
    发布日期:2018/12/21 点击:

    概述 ADF7012是一款低功耗ASK/FSK/GFSK UHF发射机,设计用于短程无线设备(SRD)。输出功率、输出通道、偏移频率和调制类型均可通过4个32位寄存器编程设置。 利用小数N分频和带有外部电感的VCO,用户可以选择50 MHz至1 GHz频段内的任何频率。小数N分频PLL具有快速锁定时间特性,因此ADF7012适合快速跳频系统。精密频率偏移和PLL相位噪声性能也有助于窄带操作。 有五..

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